Безопасность и общество Оздоровление Полезные ссылки MILEX-2017
En Слабовидящим

Пластины арсенида галлия GaAs

Пластины арсенида галлия GaAs

Изготовление пластин арсенида галлия в ОАО «МИНСКИЙ НИИ РАДИОМАТЕРИАЛОВ» осуществляется на собственном производственном участке.

Пластины арсенида галлия изготовлены по технологии epi-ready с использованием технологии и химических составов корпорации Fujimi (Япония).

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ:

Производство интегральных СВЧ микросхем, светодиодов, ИК излучателей, в том числе полупроводниковых лазеров, спутниковых солнечных батарей и пр.

Характеристики пластин:

Метод выращивания

Чохральского (LEC)

Диаметр, мм

50,8+/-0,3 и 76,2+/-0,3

Удельное сопротивление, ом*см

> 1*107

Подвижность, cm2/VS

≥ 4500

Плотность дислокаций, см-2

≤ 1*105

Тип материала

полуизолирующий

Легирующая примесь

нелегированные

Кристаллографическая ориентация

по заказу

Толщина

по заказу

Ориентация срезов

по заказу

Обработка лицевой стороны

полированная, подготовленная под эпитаксию

Обработка обратной стороны

по заказу

TTV, мкм

< 7

Bow, мкм

< 10

Упаковка

индивидуальный контейнер в инертной атмосфере

Сроки и стоимость изготовления определяются в процессе подготовки конкретного заказа.



Назад в раздел